La mémoire flash et le stockage des données numériques :

L’histoire de la mémoire flash s’inscrit dans celle des technologies de stockage de données. Il eut tout d’abord les cartes perforées utilisées à partir de 1930 et jusqu’à la fin des années 1970, qui mesuraient 20 cm de long sur 8 cm de large et pouvant stocker seulement 80 caractères. Avec l’arrivée des disques dur dans les années 60, ce système a vite disparu pour laisser place à la puce puis au mémoire flash. C’est le japonais Fujio Masuaoka, alors ingénieur chez Toshiba, qui développa cette technologie.

Son nom « flash » viendrait du fait que le processus rapide d’écriture et d’affacement de la mémoire rappelle la rapidité d’un flash d’appareil photo. L’ingénieur de Toshiba présenta son invention en 1984 en Californie à la reunion internationale de l’Institute of Electronics Engineers (IEEE).
Très vite adopté par les grandes firmes comme Intel adoptent cette technologie pour équiper leur ordinateur sous de puce NOR (opérateur booléens). Un an plus tard, Toshiba vendait un second type de mémoire flash la Nand.

La différence ? Alors que la Nor donne un accès direct à n’importe laquelle de ses cellules, la Nand impose un accès séquentiel pour accéder à une cellule précise. Aujourd’hui, la plupart des baladeurs numériques, téléphone portables, appareils photos, caméras…, utilisent la puce Nand pour stockée leur donnée numérique.

La mémoire flash a des avantages indéniables. Plus résistante aux chocs, plus légère et compacte que le disque dur (1cm² peut contenir plusieurs gigaoctets). De plus, la mémoire flash conserve toujours ses données même si elle n’est pas alimentée. Toutefois, en raison du prix de fabrication, la mémoire flash coûte cher : 20 euros le gigaoctet, alors que le disque dur revient à 0,45 euros.

Comment ça marche : L’élément clé de la mémoire flash est la cellule. Ce sandwich électronique gravé dans le silicium ne mesure que quelques dizaines de nanomètres de large. Il a le pouvoir de rester durablement (10 ans minimum) dans deux états distinct : l’état chargé et l’état déchargé. Les concepteurs ont attribué l’état déchargé à la valeur 1 et l’état chargé à la valeur 0. En alignant plusieurs de ces cellules, il leur est donc possible de stocker une multitude de donnée en jouant sur les différentes combinaisons de 0 et 1. Une matrice de mémoire contient 1 milliard de ces cellules regroupées sur environ 1 cm².

Pour inscrire les données dans la cellule de mémoire, une grille de contrôle agit comme un interrupteur sur les électrodes. La ligne de contrôle est portée à 12 volts. Celui qui décide de la répartition des données dans les différentes cellules.